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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 30 W, 28 V, 2620 ??2690 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-17 15:30:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
24+
QFP
34
TI/德州仪器
23+
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11200
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23+
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