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PTFB213004FV2R0

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

更新时间:2026-1-4 22:30:00
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