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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PTFB211501F | Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：351.15 Kbytes Page：13 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
PTFB211501F | Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs150W,2110??2170MHz 文件：362.55 Kbytes Page：13 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：351.15 Kbytes Page：13 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：351.15 Kbytes Page：13 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线，带法兰 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC AMP RF LDMOS H-37248-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线，带法兰 包装：托盘 描述：FET RF 65V 2.17GHZ H37248-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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PTFB211501F产品属性
- 类型
描述
- 型号
PTFB211501F
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 2110 – 2170 MHz
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
6500 |
只做原装正品现货!假一赔十! |
|||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
INFINEON |
2310+ |
NA |
3886 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
H372482 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
NA |
57550 |
||||
INFINEON |
23+ |
INFINEON |
28520 |
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货 |
|||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
H372482 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
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2019-10-29
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