型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PTFB210801FA

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

文件:636.2 Kbytes Page:11 Pages

Cree

科锐

PTFB210801FA

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

文件:910.13 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

PTFB210801FA

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

Infineon

英飞凌

Cellular (2000 MHz to 2200 MHz)

Infineon

英飞凌

High Power RF LDMOS FET80 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz

MACOM

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

文件:910.13 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

封装/外壳:H-37265-2 包装:卷带(TR) 描述:IC AMP RF LDMOS H-37265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

文件:910.13 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

文件:910.13 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

封装/外壳:H-37265-2 包装:散装 描述:FET RF LDMOS 80W H37265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

WOLFSPEED

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

文件:910.13 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

PTFB210801FA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFB210801FA

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 H-37265-2-1

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-24 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
7073
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
INFINEON/英飞凌
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
Infineon Technologies
22+
H372652
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
7000
Wolfspeed Inc.
25+
H-37265-2
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
INFINEON/英飞凌
23+
SMD
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
Cree/Wolfspeed
100
INFINEON/英飞凌
23+
NA
89630
当天发货全新原装现货
INFINEON
23+
NA
28520
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全

PTFB210801FA数据表相关新闻