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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 340 W, 30 V, 1930-1990 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 340 W, 30 V, 1930 ??1990 MHz

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 340 W, 30 V, 1930 ??1990 MHz

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Cree

科锐

更新时间:2025-12-28 11:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
INFINEON/英飞凌
23+
H-37275-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON
24+
SMD
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
Infineon Technologies
22+
H372756/2
9000
原厂渠道,现货配单
INFINEON/英飞凌
2023+
SMD
8635
一级代理优势现货,全新正品直营店
Infineon(英飞凌)
21+
SMD
509
原装现货,假一罚十
INFINEON
22+
高频
20000
公司只做原装 品质保障
INFINEON
23+
7000
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON/英飞凌
24+
235
现货供应

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