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PTFB192503FL	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET240W,1930??1990MHz 文件：531.66 Kbytes Page：14 Pages	CreeCree Inc. 科锐科锐半导体制造商
PTFB192503FL	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：737.07 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503FL	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs240W,1930-1990MHz 文件：673.27 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503FLV2R0	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：737.07 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503FL-V2-R0	封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线，带法兰包装：卷带（TR）描述：IC AMP RF LDMOS H-34288-4 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
PTFB192503FLV2R0XTMA1	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：737.07 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503FLV2R250	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：737.07 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503FL-V2-R250	封装/外壳：H-34288-4/2 包装：卷带（TR）描述：IC AMP RF LDMOS 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
PTFB192503FLV2R250XTMA1	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：737.07 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503EFL	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：737.07 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503EL	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：737.07 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB192503EL	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs240W,1930-1990MHz 文件：673.27 Kbytes Page：15 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

PTFB192503F产品属性

类型
描述
型号
PTFB192503F
制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 1930-1990 MHz

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更新时间：2024-6-22 10:36:00

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深圳市威雅利发展有限公司	PTFB192503FL	INFINEON	12+	H-34288-4/2	1628	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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PT7738，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
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