型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920-960 MHz

文件:671.21 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:1.55404 Mbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

文件:1.55404 Mbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC RF FET LDMOS H-33288-6 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

Infineon

英飞凌

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC RF FET LDMOS H-33288-6 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920-960 MHz

文件:671.21 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

PTFA092213E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFA092213E

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920-960 MHz

更新时间:2025-12-24 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
4243
原厂直销,现货供应,账期支持!
INFINEON
24+
NA
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
INFINEON/英飞凌
25+
NA
32360
INFINEON/英飞凌全新特价PTFA092213ELV4即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON/英飞凌
24+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINEON/英飞凌
25+
H-33288-6
1200
全新原装现货,价格优势
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
Infineon(英飞凌)
23+
19850
原装正品,假一赔十
INFINEON/英飞凌
24+
NA
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON/英飞凌
2450+
NA
9485
只做原装正品现货或订货假一赔十!

PTFA092213E数据表相关新闻