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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs220W,920??960MHz 文件：424.31 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
封装/外壳：H-33288-2 包装：散装 描述：FET RF LDMOS 220W H33288-3 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：H-33288-2 包装：散装 描述：FET RF LDMOS 220W H33288-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs220W,920??960MHz 文件：424.31 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
PTFA092211E产品属性
- 类型
描述
- 型号
PTFA092211E
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 920 – 960 MHz
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
469 |
现货供应 |
||||
Infineon Technologies |
22+ |
H332882 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
InfineonTechnologies |
2019+ |
H-34288-2 |
65500 |
原装正品货到付款,价格优势! |
|||
INF |
22+ |
NA |
30000 |
100%全新原装 假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
H332882 |
9000 |
原装正品，支持实单 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
NA |
10500 |
只有原装 低价 实单必成 |
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2019-10-29
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