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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs120W,920-960MHz 文件：391.2 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
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封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线 包装：卷带（TR） 描述：IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线 包装：卷带（TR） 描述：IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs 文件：8.75884 Mbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
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PTFA091201G产品属性
- 类型
描述
- 型号
PTFA091201G
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 120 W, 920 – 960 MHz
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1844+ |
NA |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
469 |
现货供应 |
||||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-59.高频管 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
632482 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-63248-2 |
21000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
NA |
57550 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
TO-59 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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