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PTFA082201E

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 ??894 MHz

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INFINEON

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PTFA082201E

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 – 894 MHz

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 ??894 MHz

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封装/外壳:H-36260-2 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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封装/外壳:H-36260-2 包装:托盘 描述:FET RF 65V 894MHZ H-36260-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 ??894 MHz

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Crystal Clock Oscillator Specification

Description Standard 2.5 x 2.0 oscillator in a ceramic package with a hermetically sealed metal lid. Model IQXO-791 Model Issue number 2 Frequency Parameters Frequency 12.2880MHz Frequency Stability ±25.00ppm Operating Temperature Range -20.00 to 70.00°C Ageing ±3ppm max per year @ 25°C

WURTHWurth Elektronik GmbH & Co. KG, Germany.

伍尔特伍尔特集团

ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]

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E-SWITCH

PTFA082201E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFA082201E

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 220 W, 869 – 894 MHz

更新时间:2026-7-31 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原厂渠道,现货配单
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原厂渠道 可含税出货

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