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PTF210101M	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz Description The PTF210101M is an unmatched 10-watt GOLDMOS® FET intended for class AB base station applications in the 2110 to 2170 MHz band. This LDMOS device offers excellent gain, efficiency and linearity performance in a small footprint. Features • Typical WCDMA performance - Average ou	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF210101M	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 – 2170 MHz	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF210101M V1	封装/外壳：10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）包装：带描述：IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	Infineon 英飞凌	Infineon
SPVN210101	Low-profile Two-way Operation Type Low-profile type with thickness of 1mm.	ALPS 阿尔卑斯	ALPS
SPEF210101	1.5mm-travel Vertical Type 文件：996.81 Kbytes Page：4 Pages	ALPS 阿尔卑斯	ALPS
SPEF210101	Surface Mount Type Push Switch 文件：203.1 Kbytes Page：4 Pages	ALPS 阿尔卑斯	ALPS
SPVN210101	Low-profile Two-way Operation Type 文件：1.02493 Mbytes Page：4 Pages	ALPS 阿尔卑斯	ALPS

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更新时间：2025-11-23 15:30:00

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1 Output SMD/SMT 非隔离式DC/DC转换器， 0 V to 20 kV 非隔离式DC/DC转换器， Through Hole 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器， 9 V to 36 V 非隔离式DC/DC转换器， 5 V 非隔离式DC/DC转换器， 18 V to 28 V 1 Output 非隔离式DC/DC转换器
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