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PTB32001X	NPN microwave power transistors DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a metal ceramic SOT440A flange package with base connected to the flange. FEATURES • Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR • Interdigitated structure provides	PHILIPS 飞利浦	PHILIPS
PTB32001X	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI PTB32001X is Designed for Common Base General purpose amplifier Applications up to 4.2 GHz. FEATURES INCLUDE: • Diffused Emitter Ballasting Resistor • Hermetic Flange Package • Gold Metelization	ASI	ASI
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更新时间：2026-7-30 14:16:00

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