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PTB20082	15 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20082 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 15 watts output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization ensure excellent de	ERICSSON 爱立信	ERICSSON
PTB20082	15 Watts, 1.8?.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor	ERICSSON 爱立信	ERICSSON
Y20082	4, 5 & 6 Tumbler Switchlocks Features/Benefits • Anti-static switch—exceeds 20 KV DCstatic resistance • Momentary models available • Wire leads and harnesses available Typical Applications • Point-of-sale terminals • Cash registers • Computers	CK-COMPONENTS 力特	CK-COMPONENTS
MAX20082	Dual, Redundant, H-Bridge Motor Driver 文件：849.49 Kbytes Page：29 Pages	MAXIM 美信	MAXIM
NCS20082	Operational Amplifier Low Power, Rail-to-Rail 文件：753.64 Kbytes Page：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCV20082	Operational Amplifier Low Power, Rail-to-Rail 文件：753.64 Kbytes Page：20 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2026-5-23 23:00:00

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1 Output SMD/SMT 非隔离式DC/DC转换器， 0 V to 20 kV 非隔离式DC/DC转换器， Through Hole 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器， 9 V to 36 V 非隔离式DC/DC转换器， 5 V 非隔离式DC/DC转换器， 18 V to 28 V 1 Output 非隔离式DC/DC转换器
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2019-10-29