| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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PTB20017 | 150 Watts, 860-900 MHz Cellular Radio RF Power Transistor Description The 20017 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation across the 860 to 900 MHz cellular radio frequency band. Rated at 150 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivati | ERICSSON 爱立信 |   | |
PTB20017 | 150 Watts, 860?00 MHz Cellular Radio RF Power Transistor | ERICSSON 爱立信 | | |
DUAL 16 BIT, 44Hz, MULTIPLEXED D/A DUAL 16 BIT, 44Hz, MULTIPLEXED D/A | SONYSony Corporation 索尼 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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