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PTAB182002FCV1R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET

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Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 180 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-8-14 16:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
2223+
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
INFINEON/英飞凌
2023+
SMD
6895
原厂全新正品旗舰店优势现货
Infineon Technologies
22+
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon Technologies
23+
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
7000
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
Cree/Wolfspeed
100
Infineon Technologies
23+
9000
原装正品,支持实单

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