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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
PTA05N65T	650V N-ch Planar MOSFET	ETC 知名厂家	ETC
CEB05N65	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired	CET 华瑞	CET
CEB05N65	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant.	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED05N65	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant.	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CED05N65	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4Ω @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-251 & TO-252 package.	CET 华瑞	CET
05N65	Power MOSFET 文件：1.9873 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

PTA05N65T供应商更多...

更新时间：2025-10-16 22:59:00

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2021-3-19
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2020-11-3
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1 Output SMD/SMT 非隔离式DC/DC转换器， 0 V to 20 kV 非隔离式DC/DC转换器， Through Hole 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器， 9 V to 36 V 非隔离式DC/DC转换器， 5 V 非隔离式DC/DC转换器， 18 V to 28 V 1 Output 非隔离式DC/DC转换器
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2019-10-29