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MOSFET800V,4AN-CHANNEL

FEATURE •ProprietaryNewPlanarTechnology •RDS(ON),typ.=3.7Ω@VGS=10V •LowGateChargeMinimizeSwitchingLoss •FastRecoveryBodyDiode DESCRIPTION TheAM04N80isavailableinTO-251,TO-252 Package APPLICATION •CRT •TV/Monitor

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

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PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

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更新时间:2025-6-9 23:24:01
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