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PT8810

沟槽型功率场效应管

HTSEMI

金誉半导体

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

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拓锋半导体

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Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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更新时间:2025-12-15 22:30:00
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