| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsource andsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •VHFa | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  |   | |
N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners. | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | | |
SiliconNChannelMOSFETTetrode(ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners) ●ForVHFapplications,especiallyforinputandmixerstageswithawidetuningrange,e.g.inCATVtuners | SIEMENS Siemens Ltd |  | | |
N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features Integratedgateprotectiondiodes Highcrossmodulationperformance Lownoisefigure HighAGC-range Lowfeedbackcapacitance Lowinputcapacitance Applications Input-andmixerstagesespeciallyVHFTV-tuners. | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
L638xEapplicationguide 文件：565.86 Kbytes Page：25 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NXP |
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SOT-143 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP/恩智浦 |
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