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PSMN018-100ESF

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 53A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 18mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

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无锡固电

PSMN018-100ESF

PSMN018-100ESF - NextPower 100 V, 18 mΩ N-channel MOSFET in I2PAK package

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PSMN018-100ESF

NextPower 100 V, 18 m廓 N-channel MOSFET in I2PAKpackage

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NextPower 100 V, 18 m廓 N-channel MOSFET in I2PAKpackage

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NextPower 100 V, 18 m廓 N-channel MOSFET in TO220package

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Vierpol-Funk-Entst철rkondensatoren Four-pole Radio Interference Suppression

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EICHHOFF

更新时间:2025-10-4 23:00:00
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