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RF Power LDMOS Transistor

1.8--2000 MHz, 25 W, 50 V WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR RF power transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000 MHz. This device is fabricated using Freescale’s enhanced ruggedness platform and is suit

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2025-12-27 12:00:01
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