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RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA and multicarrier base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Car

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

更新时间:2025-10-16 22:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSL
23+
原厂原包装
6000
全新原装假一赔十
FREESCALE
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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明嘉莱只做原装正品现货
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只做原装正品现货或订货假一赔十!
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20000
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货
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