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RFPowerFieldEffectTransistors

N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to 1880MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. •TypicalSingle--Ca

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恩智浦恩智浦半导体公司

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RFPowerFieldEffectTransistors(N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs)

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飞思卡尔

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