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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

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TTELEC
更新时间:2025-8-6 9:24:01
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