型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 350V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.65Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current :ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 350V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 350V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.65Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

ATTEN 50W 110V Soldering Station - AT- 937

文件:455.25 Kbytes Page:2 Pages

Adafruit

Banana Jack To #12, 16, 20 & 22 Pin

文件:129.62 Kbytes Page:2 Pages

POMONA

Pomona Electronics

PN3565_Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PN3565_Q

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-24 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
25+
TO-3P
694
原装正品,欢迎来电咨询!
Microch
20+
NA
33560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
APT
24+
TO-247-3
8866
APT
22+
原厂原封
8200
原装现货库存.价格优势!!
Microsemi Corporation
22+
SOT227
9000
原厂渠道,现货配单
APT
23+
TO247
28888
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
MICROSEMI
638
原装正品
Microsemi Corporation
25+
SOT-227-4 miniBLOC
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
IXFN
23+
标准封装
5000
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保
APT
23+
TO-247
50000
全新原装正品现货,支持订货

PN3565_Q数据表相关新闻