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位置：首页 > IC中文资料 > PMV50EPEA

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PMV50EPEA

丝印代码：3407；P-Channel Super Enhancement Mode MOSFET

General Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed switching Applications Battery protection Load switch Power management

LEIDITECH

雷卯电子

PMV50EPEA

丝印代码：3415；P-Channel Mosfet

Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift

TECHPUBLIC

台舟电子

PMV50EPEA

30 V, P-channel Trench MOSFET

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• AEC-Q101 qualified;

NEXPERIA

安世

PMV50EPEA

丝印代码：DQ%；30 V, P-channel Trench MOSFET

文件：727.34 Kbytes Page：16 Pages

NEXPERIA

安世

PMV50EPEAR

30 V, P-channel Trench MOSFET

文件：727.34 Kbytes Page：16 Pages

NEXPERIA

安世

PMV50EPEA产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name：

    SOT23

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    P

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    -30

  • RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：

    45

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    72

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    -4.2

  • QGD [typ] (nC)：

    2.2

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)：

    12.8

  • Ptot [max] (W)：

    0.48

  • VGSth [typ] (V)：

    -2

  • Automotive qualified：

    Y

  • Ciss [typ] (pF)：

    793

  • Coss [typ] (pF)：

    134

  • Release date：

    2016-06-30

PMV50EPEA供应商更多...

更新时间：2026-7-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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