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PMV40UN价格

参考价格：￥0.5850

型号：PMV40UN 品牌：NXP/PHILIPS 备注：这里有PMV40UN多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，PMV40UN批发/采购报价，PMV40UN行情走势销售排行榜，PMV40UN报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PMV40UN

TrenchMOS™ ultra low level FET

1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Product availability: PMV40UN in SOT23. 1.2 Features 1.3 Applications n Ultra low level threshold n Surface mount package. n Battery management n High-speed switch.

NEXPERIA

安世

PMV40UN

N-channel TrenchMOS ultra low level FET

Ultra low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

NEXPERIA

安世

PMV40UN

TrenchMOS ultra low level FET

文件：241.73 Kbytes Page：12 Pages

PHILIPS

飞利浦

PMV40UN

TrenchMOS??ultra low level FET

文件：186.48 Kbytes Page：3 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

PMV40UN

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件：1.02545 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

PMV40UN2

30 V, N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Trench MOSFET technology\n• Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Enhanced power dissipation capability of 1000 mW;

NEXPERIA

安世

PMV40UN2

丝印代码：K8；30 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Low threshold voltage • Very fast switching • Enhan

NEXPERIA

安世

PMV40UN2

30 V, N-channel Trench MOSFET

文件：267.62 Kbytes Page：15 Pages

PHILIPS

飞利浦

PMV40UN2_15

30 V, N-channel Trench MOSFET

文件：267.62 Kbytes Page：15 Pages

PHILIPS

飞利浦

PMV40UN产品属性

  • 类型

    描述

  • Package name：

    SOT23

  • Product status：

    Production

  • Channel type：

    N

  • Nr of transistors：

    1

  • VDS [max] (V)：

    30

  • VGS [max] (V)：

    12

  • RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：

    44

  • RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：

    53

  • integrated gate-source ESD protection diodes：

    Y

  • Tj [max] (°C)：

    150

  • ID [max] (A)：

    4.4

  • QGD [typ] (nC)：

    1.7

  • QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：

    7

  • Ptot [max] (W)：

    0.49

  • VGSth [typ] (V)：

    0.65

  • Automotive qualified：

    N

  • Ciss [typ] (pF)：

    635

  • Coss [typ] (pF)：

    40

  • Release date：

    2014-06-03

PMV40UN供应商更多...

更新时间：2026-5-19 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
PMV40UN
恩XP
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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PMV40UN2
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