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1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

• Trench MOSFET technology

• Low threshold voltage

• Very fast switching

• Enhanced power dissipation capability of 1000 mW

3. Applications

• LED driver

• Power management

• Low-side load switch

• Switching circuits

PMV40UN2供应商...

更新时间：2025-10-31 15:27:00

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参考价格：￥0.4119

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