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PMV19XNEA

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyPMV19XNEA GeneralFeatures VDS=30VID=4.2A RDS(ON)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
PMV19XNEA

30 V, N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFET

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安世安世半导体(中国)有限公司

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更新时间:2025-8-1 23:00:00
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