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PMPB29XNEA

30 V, N-channel Trench MOSFET

1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Side we

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安世

PMPB29XNEA

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包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:PMPB29XNEA/SOT1220/SOT1220 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

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更新时间:2026-1-4 23:01:00
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