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PMPB19R0UPE

20 V, P-channel Trench MOSFET

1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Small

NEXPERIA

安世

PMPB19R0UPE

20 V, P-channel Trench MOSFET

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安世

High Voltage Switching Diode

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TSC

台湾半导体

High Voltage Switching Diode

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TSC

台湾半导体

更新时间:2026-1-2 23:01:00
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