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PMPB19R0UPE

20 V, P-channel Trench MOSFET

1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Trench MOSFET technology • Small

NEXPERIA

安世

PMPB19R0UPE

20 V, P-channel Trench MOSFET

NEXPERIA

安世

High Voltage Switching Diode

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TSC

台湾半导体

High Voltage Switching Diode

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TSC

台湾半导体

更新时间:2026-1-2 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
N/A
16000
原装正品现货支持实单
恩XP
24+
6DFN
590
NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十
恩XP
20+
DFN22
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
恩XP
21+
6000
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友
12+
DFN
1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
恩XP
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
恩XP
24+
N/A
20000
原厂直供原装正品
恩XP
2023+
DFN
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NEXPERIA/安世
20+
SOT1220
120000
只做原装 可免费提供样品
恩XP
24+
N/A
6000
现货

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