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PMN50EPE

30 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT457(SC-74)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •TrenchMOSFETtechnology •Logic-levelcompatible •Veryfastswitching •Electr

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
更新时间:2024-6-22 8:02:00
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