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20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETte

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安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA
更新时间:2024-6-16 22:48:00
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