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PMCM4401VPE | 12 V, P-channel Trench MOSFET 文件：740.72 Kbytes Page：15 Pages | NEXPERIA 安世 |   | |
PMCM4401VPE | 12 V, P-channel Trench MOSFET | NEXPERIA 安世 | | |
12 V, P-channel Trench MOSFET 文件：325.32 Kbytes Page：15 Pages | Philips 飞利浦 | | ||
DO-41 Case
| NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | | ||
General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR VOLTAGE 40 Volts POWER 625 mWatts FEATURES • NPN epitaxial silicon, planar design • Collector-emitter voltage VCE = 40V • Collector current IC = 600mA • Complimentary (PNP) device:2N4403 • Pb free product are available :99 Sn above can meet RoHS environment substance directive | PANJIT 強茂 | | ||
TO - 92 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(NPN) 文件：442.97 Kbytes Page：6 Pages | RECTRON 丽正国际 | | ||
NPN General Purpose Amplifier 文件：218.45 Kbytes Page：4 Pages | MCC | |
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2021-10-15PMBTA56公司原装现货
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