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NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE40P40D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-40V,ID =-40A RDS(ON)

NCEPOWER

新洁能

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= -40V, ID= -40A RDS(ON)

Bychip

百域芯

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:477.05 Kbytes Page:7 Pages

NCEPOWER

新洁能

P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:1.07826 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-22 23:01:01
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