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Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

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VBSEMI

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FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

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FUMAN

Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes

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3M

3M Electronics

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更新时间:2025-8-5 18:32:01
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