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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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PHP125N06T | TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.ItisintendedforuseinDC-DCconvertersa | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips |   |
PHP125N06T | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：2.23496 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司 |  | | |
SuperiorAvalancheRuggedTechnology 文件：897.46 Kbytes Page：9 Pages | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. |  | | |
100PerCentAvalancheTested 文件：847.14 Kbytes Page：7 Pages | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | | | |
ReliableandRugged 文件：214.95 Kbytes Page：7 Pages | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | | | |
SuperiorAvalancheRuggedTechnology 文件：815.46 Kbytes Page：8 Pages | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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