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PHE13003C,412

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

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瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司

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PHE13003C,412产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHE13003C,412

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Silicon diffused power transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-5-21 9:54:00
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