位置：首页 > IC中文资料第1878页 > PHD63NQ03LT,118
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NXP | ETC |   |
PHD63NQ03LT,118产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHD63NQ03LT,118
- 功能描述
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-15 14:34:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
05+ |
TO252/2 |
5658 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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原装 |
1923+ |
SOT-428 |
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恩XP |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
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原厂渠道,现货配单 |
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PHI |
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恩XP |
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恩XP |
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PHI |
06+PBF |
TO252 |
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现货 |
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PHI |
23+ |
TO-252 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
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PHI |
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