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位置：首页 > IC中文资料第3164页 > PHD23NQ10T,118

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
PHD23NQ10T,118

NXP
NA

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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nxp
PHD23NQ10T,118

PhilipsSemiconducto
NA

CTCentral Technologies

中基科技中基科技（香港）有限公司

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CT
PHD23NQ10T,118

PhilipsSemiconducto
NA

IPSIP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.

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IPS
PHD23NQ10T,118

PhilipsSemiconducto
NA

MIC

MIC GROUP RECTIFIERS

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MIC
PHD23NQ10T,118

PhilipsSemiconducto
NA

SSEShanghai Sunrise Electronics

Shanghai Sunrise Electronics

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SSE
PHD23NQ10T,118

PhilipsSemiconducto
NA

SS

Silicon Supplies

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SS
PHD23NQ10T,118

PhilipsSemiconducto
NA

SemicoWuxi China Resources Semico Co.,Ltd

华润矽科无锡华润矽科微电子有限公司

相关企业：深圳市弘为电子有限公司

Semico
PHD23NQ10T,118

PhilipsSemiconducto
NA

ONON Semiconductor

安森美安森美半导体(上海)有限公司

相关企业：深圳市弘为电子有限公司

ON

PHD23NQ10T,118产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD23NQ10T,118

  • 功能描述

    MOSFET TRENCH-100

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

PHD23NQ10T,118供应商更多...

更新时间：2024-5-15 17:35:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市吉银科技有限公司
PHD23NQ10TMOS(场效应管)
NXP/恩智浦
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2500
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深圳和润天下电子科技有限公司
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深圳市汇莱威科技有限公司
PHD23NQ15T
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562000
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深圳市博浩通科技有限公司
PHD24N03LT
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深圳市惊羽科技有限公司
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NXP-恩智浦
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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