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PHD110NQ03LT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.6mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

MOSFET N-CH 25V 75A DPAK

ETC

知名厂家

PHD110NQ03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD110NQ03LT

  • 功能描述

    MOSFET TRENCH<=30

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-17 11:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
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