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PHB160N03LT

N-Channel30V(D-S)175째CMOSFET

文件:1.13478 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHB160N03TinSOT404(D2-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Verylowon-stateresistance. Applications ■DCtoDCconverters ■Switched-modepo

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
更新时间:2024-6-14 19:03:00
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