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Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability.

ISC

无锡固电

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

更新时间:2025-10-15 19:24:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI/富士电机
23+
N/A
11550
FUJI/富士电机系列在售
FUJI/富士电机
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FUJI/富士电机
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FUJI/富士电机
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TO-220AB
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原装正品 可含税交易
NEXPERIA/安世
23+
SOT109-1
69820
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