位置：首页 > IC中文资料第6827页 > PH3855L
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PH3855L | N-channel TrenchMOS logic level FET 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and benefits Suit | NEXPERIA 安世 |   | |
PH3855L | N-channel TrenchMOS logic level FET Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. | NEXPERIA 安世 | | |
PH3855L | N-channel TrenchMOS logic level FET | ETC 知名厂家 | ETC | |
PH3855L | N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：83.82 Kbytes Page：12 Pages | PHILIPS 飞利浦 | | |
1.5A Fast Response Ultra Low Dropout Linear Regulators 文件：384.91 Kbytes Page：19 Pages | NSC 国半 | | ||
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High Performance Power Factor Preregulator 文件：493.83 Kbytes Page：12 Pages | TI 德州仪器 | |
PH3855L产品属性
- 类型
描述
- 型号
PH3855L
- 功能描述
MOSFET N-CH TRENCH 55V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
SOT-669 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
恩XP |
2023+ |
SOT-669 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
恩XP |
2450+ |
SOT-669 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
恩XP |
10+P |
SOT-669 |
13500 |
||||
恩XP |
25+23+ |
SOT-669 |
26970 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
恩XP |
25+ |
SOT-669 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
恩XP |
22+ |
SOT-669 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
PHI |
2025+ |
SOT-669 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
恩XP |
23+ |
SC100 SOT669 |
7000 |
PH3855L规格书下载地址
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2019-8-23
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