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PH3855L中文资料

厂家型号

PH3855L

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307.49Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-channel TrenchMOS logic level FET

MOSFET N-CH TRENCH 55V

数据手册

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生产厂商

NEXPERIA

PH3855L数据手册规格书PDF详情

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in

computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Suitable for logic level gate drive

sources

1.3 Applications

12 V and 24 V loads

DC-to-DC convertors

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

PH3855L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PH3855L

  • 功能描述

    MOSFET N-CH TRENCH 55V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-1 11:20:00
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