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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PH3134-30S | Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, lms Pulse, 10 Duty 3.1 - 3.4 GHz Features • NPN Silicon Microwave Power Transistor • Common Base Configuration • Broadband Class C Operation • High Efficiency Interdigitated Geometry • Diffused Emitter Ballasting Resistors • Gold Metalization System • Internal Input and Output Impedance Matching • Hermetic Metal/Ceramic P | MACOM |   | |
PH3134-30S | Radar Pulsed Power Transistor 30W, 3.1-3.4 GHz, 1關s Pulse, 10 Duty Features • NPN silicon microwave power transistors • Common base configuration • Broadband Class C operation • High efficiency inter-digitized geometry • Diffused emitter ballasting resistors • Gold metallization system • Internal input and output impedance matching • Hermetic metal/cerami | MA-COM | | |
PH3134-30S | Radar Pulsed Power Transistor 30W, 3.1-3.4 GHz, 1關s Pulse, 10 Duty 文件：100.04 Kbytes Page：2 Pages | MACOM | | |
PH3134-30S | 包装：托盘 描述：RF TRANS NPN 65V 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
PH3134-30S | Bipolar | MACOM | |
PH3134-30S产品属性
- 类型
描述
- 型号
PH3134-30S
- 功能描述
射频双极电源晶体管
- RoHS
否
- 制造商
M/A-COM Technology Solutions
- 配置
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min
40
- 最大工作频率
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
4 V
- 集电极连续电流
20 A
- 功率耗散
250 W
- 封装/箱体
Case 211-11
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
M/A-COM |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MA/COM |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
MCM |
24+ |
999 |
|||||
原装 |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
|||
MINI |
24+ |
SMD |
3600 |
MINI专营品牌全新原装正品假一赔十 |
|||
MACOM |
23+ |
NA |
25000 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
MA/COM |
2318+ |
原装正品 |
4285 |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
|||
MA/COM |
24+ |
129 |
现货供应 |
||||
24+ |
N/A |
62000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
10 |
优势库存,全新原装 |
PH3134-30S规格书下载地址
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2019-8-23
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