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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PH2226-110M | Radar Pulsed Power Transistor 110W, 2.2-2.6GHz, 100關s Pulse, 10 Duty Features • NPN silicon microwave power transistors • Common base configuration • Broadband Class C operation • High efficiency inter-digitized geometry • Diffused emitter ballasting resistors • Gold metallization system • Internal input and output impedance matching • Hermetic metal/cerami | MA-COM |   | |
PH2226-110M | Radar Pulsed Power Transistor, 110 Watts, 2.25-2.55 GHz, 100 uS Pulse, 10 Duty Features ■ NPN Silicon Microwave Power Transistor ■ Common Base Configuration ■ Broadband Class C Operation ■ Diffused Emitter Ballasting Resistors ■ Gold Metalization System ■ Internal Input and Output Impedance Matching ■ Hermetic Metal/Ceramic Package | MACOM | | |
PH2226-110M | Radar Pulsed Power Transistor 110W, 2.2-2.6GHz, 100關s Pulse, 10 Duty 文件：107.78 Kbytes Page：3 Pages | MACOM | | |
PH2226-110M | Bipolar | MACOM | | |
Radar Pulsed Power Transistor 文件：107.78 Kbytes Page：3 Pages | MA-COM | |
PH2226-110M产品属性
- 类型
描述
- 型号
PH2226-110M
- 功能描述
射频双极电源晶体管
- RoHS
否
- 制造商
M/A-COM Technology Solutions
- 配置
Single 直流集电极/Base Gain hfe
- Min
40
- 最大工作频率
30 MHz 集电极—发射极最大电压
- VCEO
25 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
4 V
- 集电极连续电流
20 A
- 功率耗散
250 W
- 封装/箱体
Case 211-11
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
22+ |
LFPAK |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
M/A-COM |
24+ |
SMD |
3000 |
M/A-COM专营微波射频全新原装正品 |
|||
恩XP |
25+ |
TO-252 |
35400 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
M/A-COM |
24+ |
120 |
现货供应 |
||||
M/A-COM |
22+ |
NA |
5000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
|||
M/A-COM |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
新 |
169505 |
全新原装 货期两周 |
|||||
M/A-COM |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
M/A-COM |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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2019-8-23
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