| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | | |
HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodrive | IXYS IXYS Corporation |  | | |
N-ChannelSuperJunctionMOSFET 文件：595.92 Kbytes Page：3 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |  | | |
HiPerFETISOPLUS220MOSFETQ-ClassElectricallyIsolatedBackSurface 文件：517.57 Kbytes Page：2 Pages | IXYS IXYS Corporation | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
13888 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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IXYS |
24+ |
TO-247 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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IXYS |
24+ |
TO-247AD(IXFH) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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IXYS |
08+ |
TO247 |
150 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO247 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
IXYS |
24+ |
TO-3P |
6000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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IXYS |
23+ |
TO-3P |
6000 |
专做原装正品,假一罚百! |
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I |
22+ |
TO-247AD |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
SOT-23 |
996574 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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