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PDD4906

Middle & Low Voltage MOSFET

ETC

知名厂家

PDD4906

MOSFETs

Potens

博盛半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous

AOSMD

万国半导体

Dual N-Channel MOSFET

■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.09623 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

更新时间:2025-12-16 18:21:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
POTENS/博盛
2511
TO252
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
POTENS/博盛
24+
TO252
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
POTENS/博盛
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98000
原装现货假一罚十
NK/南科功率
2025+
TO252
986966
国产
POTENS/博盛
23+
TO252
96300
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
POTENS
两年内
NA
20
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