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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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PD55035STR1-E | 35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Features • Common source configuration • POUT = 35 W with 16.9 dB at 500 MHz, 12.5 V • New RF plastic package Description The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
PD55035STR1-E | 35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2026-3-2 11:27:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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