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PD55035STR1-E

35W,12.5V,HFto1GHzRFpowerLDMOStransistor

Features •Commonsourceconfiguration •POUT=35Wwith16.9dBat500MHz,12.5V •NewRFplasticpackage Description ThedeviceisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effect RFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialand industrial

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-5-12 18:40:00
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