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PD55035STR1-E

35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features • Common source configuration • POUT = 35 W with 16.9 dB at 500 MHz, 12.5 V • New RF plastic package Description The device is a common source N-channel, enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. It is designed for high gain, broad band commercial and industrial

STMICROELECTRONICS

意法半导体

PD55035STR1-E

35 W, 12.5 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-16 22:50:00
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